宇瞻DDR2 533笔记本内存采用6层PCB设计制造，金手指金手指全部采用电镀金工艺制作，在使用中能有效的抗磨擦破损，防止氧化层产生，保证金手指与接触部位的良好导通性。
　　这款宇瞻DDR2 533笔记本内存颗粒采用声名远播的现代BT D43颗粒，超频性能得到最大的提升。内存模块将采1.8伏特电压设计，超越前一代DDR所采用的2.5伏特电压设计,大幅降低电压使用量，且在超高速度的运作下,降低热流的产生,提高散热效能，再加上BGA的封装技术,在内层线路设计上,速度远超过传统TSOP封装方式,并支持数据处理速度最高可达533MHz。在双双信道架构下，这款内存的传输速度更可高达到每秒8.4GB。